উপরের চিত্রে SiSi ও GeGe ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7V ও 0.3V0.3Vউদ্দীপকে GeGe ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য সর্বাপেক্ষা-

![](https://assets.chorcha.net/bYWPFR8U6e1E_jgEAgnnh.png)

Question

উপরের চিত্রে SiSi ও GeGe ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7V ও 0.3V0.3Vউদ্দীপকে GeGe ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য সর্বাপেক্ষা-

![](https://assets.chorcha.net/bYWPFR8U6e1E_jgEAgnnh.png)

Accepted Answer

গ. শূন্য হবে

ব্যাখ্যা: বর্তনীতে সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge) ডায়োড দুটি মূলত সম্মুখী বায়াসে (Forward bias) সংযুক্ত আছে। যদি Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে (বিমুখী বায়াসে বা Reverse bias) সংযোগ দেওয়া হয়, তবে এটি একটি উন্মুক্ত বর্তনীর (Open circuit) মতো কাজ করবে এবং বর্তনী দিয়ে কোনো বিদ্যুৎ প্রবাহিত হতে দেবে না (তড়িৎপ্রবাহ $I = 0$ হবে)। ফলে রোধটির মধ্য দিয়ে কোনো প্রবাহ না থাকায় ওহমের সূত্রানুযায়ী ($V = IR$) রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য শূন্য হবে।

পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র প্রশ্ন

সম্পর্কিত প্রশ্ন