উপরের চিত্রে SiSiও GeGeডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7Vও 0.3V0.3V
5.6KΩ5.6K\Omegaরোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?

![](https://assets.chorcha.net/bYWPFR8U6e1E_jgEAgnnh.png)

Question

উপরের চিত্রে SiSiও GeGeডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7Vও 0.3V0.3V
5.6KΩ5.6K\Omegaরোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?

![](https://assets.chorcha.net/bYWPFR8U6e1E_jgEAgnnh.png)

Accepted Answer

গ. 1.96mA1.96mA

ব্যাখ্যা: বর্তনীতে সিলিকন (Si) ও জার্মেনিয়াম (Ge) ডায়োড দুটি সমবায়ে সিরিজে এবং সম্মুখী বায়াসে (Forward Bias) যুক্ত রয়েছে।

ডায়োড দুটির মোট বিভব পতন (Voltage drop):
$V_D = V_{Si} + V_{Ge} = 0.7	ext{ V} + 0.3	ext{ V} = 1.0	ext{ V}$

অতএব, $5.6	ext{ k}\Omega$ রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য:
$V_R = V - V_D = 12	ext{ V} - 1.0	ext{ V} = 11.0	ext{ V}$

সুতরাং রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎপ্রবাহ:
$I_R = \frac{V_R}{R} = \frac{11	ext{ V}}{5.6	ext{ k}\Omega} \approx 1.964	ext{ mA} \approx 1.96	ext{ mA}$

পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র প্রশ্ন

সম্পর্কিত প্রশ্ন