Ge ও Si ডায়োড দু'টির মী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7Vও 0.3V0.3VGe ডায়োডকে উল্টো করে সংযোগ দিলে দুই প্রাক্ষের বিভব পার্থক্য-
i. বিমুখী ঝোঁক প্রাপ্ত হবে
ii. রোধের মধ্যদিয়ে কোনো তড়িৎ প্রবাহিত হবে নাiii. রোধের দুই প্রাপ্তের বিভব পার্থক্য শূন্য হবে
নিচের কোনটি সঠিক?

![](https://assets.chorcha.net/I8txezpCO6qBhntOGjsBH.png)

Question

Ge ও Si ডায়োড দু'টির মী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V0.7Vও 0.3V0.3VGe ডায়োডকে উল্টো করে সংযোগ দিলে দুই প্রাক্ষের বিভব পার্থক্য-
i. বিমুখী ঝোঁক প্রাপ্ত হবে
ii. রোধের মধ্যদিয়ে কোনো তড়িৎ প্রবাহিত হবে নাiii. রোধের দুই প্রাপ্তের বিভব পার্থক্য শূন্য হবে
নিচের কোনটি সঠিক?

![](https://assets.chorcha.net/I8txezpCO6qBhntOGjsBH.png)

Accepted Answer

ঘ. i  ii ও iii

ব্যাখ্যা: বর্তনীতে Si ও Ge ডায়োড দুটি রোধের সাথে শ্রেণিতে যুক্ত। এখন Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে এটি বিমুখী ঝোঁক (reverse bias) প্রাপ্ত হবে (উক্তি i সঠিক)। আদর্শ ক্ষেত্রে বিমুখী বায়াসে থাকা ডায়োডের মধ্য দিয়ে কোনো তড়িৎ প্রবাহিত হয় না, অর্থাৎ বর্তনীটি খোলা বর্তনীর মতো আচরণ করে এবং রোধের মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহ $I = 0$ হবে (উক্তি ii সঠিক)। ফলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য $V = IR = 0	ext{ V}$ হবে (উক্তি iii সঠিক)। সুতরাং i, ii ও iii তিনটি উক্তিয়েই সঠিক।

পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র প্রশ্ন

সম্পর্কিত প্রশ্ন